Semi-conducteur
Diodes rapides tournantes « TRESSE + FILETAGE »
Diodes de Redressement tournantes (excitation tournante) Diodes Rapides tournantes (excitation tournante)
Diodes de Redressement tournantes « EMBASE PLATE + TRESSE »
Diodes de Redressement tournantes (excitation tournante) Diodes Rapides tournantes (excitation tournante)
Thyristors spéciaux type « ASYMÉTRIQUES »
Thyristors lents asymétriques pressés « press-pack » Thyristors rapides asymétriques pressés « press-pack »
Thyristors spéciaux type GTO
Thyristors GTO vissés et « press-pack ». Performances électriques disponibles de 800V à 3000V. Courants nominaux de 150A à 4000A. De nombreuses références gérées sur stock.
Thyristors Rapides « PRESS PACK »
Thyristors Rapides « PRESS PACK »
Diodes de Redressement « BOITIER VISSÉ » conduction directe et conduction inverse
Diodes de Redressement « BOITIER VISSÉ » conduction directe et conduction inverse
Modules isolés IGBT
Transistors IGBT modules moulés : configurations double IGBT, 4 IGBT, 6 IGBT
Modules moulés/ isolés DARLINGTON de puissance
Transistors Darlington modules moulés : configurations simple Darlington, double Darlington, 4 Darlington, 6 Darlington
Diodes tournantes « BOITIER CONIQUE »
Diodes de Redressement tournantes (excitation tournante) Diodes Rapides tournantes (excitation tournante)